MR0A16AMYS35R — это микросхема энергонезависимой памяти MRAM (магниторезистивная оперативная память) от компании Everspin. Устройство имеет организацию 64K x 16 бит (1 Мбит), работает при напряжении 3,3 В и обеспечивает время доступа 35 нс.
Микросхема выполнена в 44-контактном корпусе TSOP II и предназначена для промышленного применения в диапазоне температур от -40°C до +85°C. MRAM сочетает скорость SRAM с энергонезависимостью Flash-памяти.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип памяти | MRAM (магниторезистивная оперативная память) |
| Организация | 64K x 16 бит |
| Объем памяти | 1 Мбит |
| Напряжение питания | 3,3 В |
| Время доступа | 35 нс |
| Интерфейс | Параллельный |
| Тип корпуса | TSOP II (44-контактный) |
| Диапазон рабочих температур | от -40°C до +85°C (промышленный) |
Поставляем оригинальное промышленное оборудование по России и странам СНГ. Помогаем с выбором, сопровождаем поставку и обеспечиваем ремонт после покупки.
Работаем с юридическими лицами и организуем доставку оборудования в ваш регион.
Поставляем оборудование от проверенных производителей и надёжных поставщиков.
Предоставляем официальную гарантию на поставленное оборудование.
Проводим диагностику, техническое обслуживание и ремонт оборудования.
Мы подберём аналогичное оборудование, проверим наличие у поставщиков и подготовим коммерческое предложение с оптимальными сроками поставки.
